项目概述：化学机械抛光（CMP）为制备线宽在130纳米以下芯片的关键步骤之一，也是硅晶圆片，磁性硬盘等微电子产品的关键加工技术。该技术由IBM公司于上世纪八十年代开发，九十年代中期进入市场随后迅速得到普及。它的主要功能是使芯片的平面在镀膜后达到局部与全面的平坦化，从而使后续的光刻等工序得以高精度地进行。

　　上世纪末以来，随着铜工艺以及低k材料的导入，芯片的集成电路密度的越来越高，CMP工艺成为了芯片多层化加工中平坦化的标准步骤之一。CMP中的主要耗材为CMP抛光液，该产品技术要求非常高，目前全部由国外主要化学公司所生产。早期CMP抛光液中的主要成份为超高纯气象白碳黑（气相二氧化硅），随着集成电路密度的不断增高，目前正逐渐地被在低温或常温下合成的硅溶胶所取代。在改进CMP工艺的拉痕缺陷等方面，硅溶胶确实比白碳黑要优越的多，然而在传统的硅溶胶里含有大量的金属杂质(>10ppm)，这些杂质在芯片的CMP加工中，不但会迅速扩散进入芯片造成污染，还会污染超净室里各种昂贵的仪器设备，故为硅溶胶CMP抛光液的最大缺陷。

　　在这种情况下，用全新工艺生产的超高纯硅溶胶进入人们的眼线，迅速引起重视并得到市场欢迎。 超高纯硅溶胶的生产原理于上世纪六十年代被发现，八十年代末该产品在日本得到产业化，但原来的销售不是很大，主要用在硅晶圆片的最后一步抛光上。随着CMP技术特别是铜线工艺的普及，超高纯硅溶胶越来越为人们所重视。根据芯片公司的预测，在芯片技术进入12英寸/65纳米以后，CMP抛光液中纳米颗粒的唯一选择将为超高纯的硅溶胶。然而，超高纯硅溶胶最大的缺陷就是价格昂贵（$7/kg）。

　　目前全球只有一家日本公司可以量产，但近几年它的产量扩张迅速（去年该产品上的销售额为5000万美元）。虽然一些美国，德国公司也试图开发，但由于原料工艺等多种原因，价格/性能上无竞争力。要想低成本地生产超高纯硅溶胶，相关人士的公识是：唯一的办法是用中国的原材料在中国本土进行生产。然而由于中国相对来说薄弱的工业基础，高附加价值的微电子化工品主要为外国公司所垄断（国内的芯片或者硅晶圆厂商都是用的进口的CMP耗材），到目前为止，还没有人做过这方面的努力。

　　苏州纳迪微电子公司于2006年注册，经过努力，第一：我们掌握原料提纯技术，已将国产原料进行纯化，使杂质含量降低到PPB级（小于0.00001%）。第二：小规模地用国产的原料及设备成功地生产出了超高纯的硅溶胶，目前的产能为75kg/天。第三：样品经过南京大学，华东理工大学测试，无论是颗粒大小分布还是杂质含量都与日本产品无大差别，目前送往美国抛光液厂商做进一步的试用。第四：我们掌握副产品的回收再使用技术，因而可更低成本地生产。本公司的工艺中原料成本为RMB 18000/吨，可产出$10000价值的产品（注：不包括人工，水电以及设备折旧费用，产品价格按日本产品价格的七折计算，即:$5000/吨，共2吨）第五：该产品的生产不涉及废液废气的排放；第六：从超高纯硅溶胶出发，本公司在低温下烧制了超高纯石英玻璃管或容器，此乃中国首创（将在微电子，光纤等行业寻求应用）第七：正在申请专利（产品专利不涉及工艺专利）。